Избранное

ОБЯЗАТЕЛЬНОЕ СОГЛАСОВАНИЕ ПЕРЕД ОПЛАТОЙ

Пожалуйста, свяжитесь с менеджером для подтверждения возможности отгрузки товара перед оформлением заказа.

О товаре

Микросхема 198НТ1В Цена указана без НДС.
Назначение и описание
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией. Микросхемы 198НТ1В представляют собой матрицу n-p-n транзисторов. Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в прямоугольном металлостеклянном корпусе с выводами для монтажа на печатную плату. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы. Содержат 5 интегральных элементов. Корпус типа 401.14-5, масса не более 0,8 г. Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: ШП0.348.002ТУ. Зарубежный аналог: CA3046. Основные технические параметры и эксплуатационные характеристики микросхемы
--- СТАТИЧЕСКИЙ КОЭФФИЦИЕНТ ПЕРЕДАЧИ ТОКА ПРИ: UСВ=3 В; IЕ=-0,05 МА
не менее: 50 не более: 250 --- ОБРАТНЫЙ ТОК ЭМИТТЕРА, НА
не менее: --- не более: 100 --- ТОК УТЕЧКИ, НА
не менее: --- не более: 50 --- ОБРАТНЫЙ ТОК КОЛЛЕКТОРА МКА, ПРИ: UСВ=6В
не менее: --- не более: 0,05 --- НАПРЯЖЕНИЕ НАСЫЩЕНИЯ БАЗА-ЭМИТТЕР, В, ПРИ: IС=3 МА; IВ=0,5 МА
не менее: --- не более: 0,8 --- НАПРЯЖЕНИЕ НАСЫЩЕНИЯ КОЛЛЕКТОР-ЭМИТТЕР, В, ПРИ: IC=3 МА; IВ=0,5 МА
не менее: --- не более: 0,2 --- РАЗБРОС СТАТИЧЕСКИХ КОЭФФИЦИЕНТОВ ПЕРЕДАЧИ ТОКА (ТРАНЗИСТОРОВ VT1,VT2),%, ПРИ: UСВ=3В; IЕ=- 0,5 МА
не менее: --- не более: 15 --- РАЗБРОС НАПРЯЖЕНИЯ БАЗАЭМИТТЕР (ТРАНЗИСТОРОВ VT1, VT2), МВ, ПРИ: UСВ=3В; ΣIЕ= 0,5 МА
не менее: --- не более: |3|
---
**Делаем доставку по городам и регионам: ** Москва, Тверь, Тула, Брянск, Липецк, Смоленск, Нижний Новгород, Ярославль, Вологда, Санкт-Петербург, Петрозаводск, Казань, Ульяновск, Пенза, Самара, Саратов, Волгоград, Ростов-на-Дону, Краснодар, Ставрополь, Владикавказ, Махачкала, Уфа, Оренбург, Челябинск, Мурманск, Салехард, Ханты-Мансийск, Омск, Тюмень, Барнаул, Абакан, Красноярск, Иркутск, Чита, Хабаровск, Владивосток, Майкоп, Улан-Удэ, Горно-Алтайск, Назрань, Нальчик, Элиста, Черкесск, Петрозаводск, Сыктывкар, Йошкар-Ола, Саранск, Якутск, Казань, Кызыл, Ижевск, Чебоксары, Благовещенск, Архангельск, Астрахань, Белгород, Владимир, Воронеж, Иваново, Калининград, Калуга, Петропавловск-Камчатский, Кемерово, Киров, Кострома, Курган, Курск, Магадан, Великий Новгород, Новосибирск, Орел, Пермь, Псков, Рязань, Южно-Сахалинск, Екатеринбург, Тамбов, Томск, Анадырь и т.д.

Характеристики
Артикул
49771-UPC
ВНИМАНИЕ!!! Перед тем как произвести оплату товара свяжитесь с менеджером для согласования возможности отгрузки товара по телефону 8(812)5070272
Доставка в пункты выдачи или до двери транспортными компаниями
Удобный возврат
Оплата по выставленному счёту с НДС и без НДС

Микросхема 198НТ1В

Цена указана без НДС.

Назначение и описание 

Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией. 

Микросхемы 198НТ1В представляют собой матрицу n-p-n транзисторов. 

Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения. 

Выпускаются в прямоугольном металлостеклянном корпусе с выводами для монтажа на печатную плату. 

Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы. 

Содержат 5 интегральных элементов. 

Корпус типа 401.14-5, масса не более 0,8 г. 

Категория качества: «ВП», «ОСМ». 

Технические условия: ШП0.348.002ТУ. 

Зарубежный аналог: CA3046. 

 

Основные технические параметры и эксплуатационные характеристики микросхемы

--- СТАТИЧЕСКИЙ КОЭФФИЦИЕНТ ПЕРЕДАЧИ ТОКА ПРИ: UСВ=3 В; IЕ=-0,05 МА

  • не менее: 50
  • не более: 250 не более: 250 --- ОБРАТНЫЙ ТОК ЭМИТТЕРА, НА
  • не менее: не менее: ---
  • не более: 100 не более: 100 --- ТОК УТЕЧКИ, НА
  • не менее: не менее: ---
  • не более: 50 не более: 50 --- ОБРАТНЫЙ ТОК КОЛЛЕКТОРА МКА, ПРИ: UСВ=6В
  • не менее: не менее: ---
  • не более: 0,05 не более: 0,05 --- НАПРЯЖЕНИЕ НАСЫЩЕНИЯ БАЗА-ЭМИТТЕР, В, ПРИ: IС=3 МА; IВ=0,5 МА
  • не менее: не менее: ---
  • не более: 0,8 не более: 0,8 --- НАПРЯЖЕНИЕ НАСЫЩЕНИЯ КОЛЛЕКТОР-ЭМИТТЕР, В, ПРИ: IC=3 МА; IВ=0,5 МА
  • не менее: не менее: ---
  • не более: 0,2 не более: 0,2 --- РАЗБРОС СТАТИЧЕСКИХ КОЭФФИЦИЕНТОВ ПЕРЕДАЧИ ТОКА (ТРАНЗИСТОРОВ VT1,VT2),%, ПРИ: UСВ=3В; IЕ=- 0,5 МА
  • не менее: не менее: ---
  • не более: 15 не более: 15 --- РАЗБРОС НАПРЯЖЕНИЯ БАЗАЭМИТТЕР (ТРАНЗИСТОРОВ VT1, VT2), МВ, ПРИ: UСВ=3В; ΣIЕ= 0,5 МА
  • не менее: не менее: ---
  • не более: |3| не более: |3| ---

 

**Делаем доставку по городам и регионам: ** Москва, Тверь, Тула, Брянск, Липецк, Смоленск, Нижний Новгород, Ярославль, Вологда, Санкт-Петербург, Петрозаводск, Казань, Ульяновск, Пенза, Самара, Саратов, Волгоград, Ростов-на-Дону, Краснодар, Ставрополь, Владикавказ, Махачкала, Уфа, Оренбург, Челябинск, Мурманск, Салехард, Ханты-Мансийск, Омск, Тюмень, Барнаул, Абакан, Красноярск, Иркутск, Чита, Хабаровск, Владивосток, Майкоп, Улан-Удэ, Горно-Алтайск, Назрань, Нальчик, Элиста, Черкесск, Петрозаводск, Сыктывкар, Йошкар-Ола, Саранск, Якутск, Казань, Кызыл, Ижевск, Чебоксары, Благовещенск, Архангельск, Астрахань, Белгород, Владимир, Воронеж, Иваново, Калининград, Калуга, Петропавловск-Камчатский, Кемерово, Киров, Кострома, Курган, Курск, Магадан, Великий Новгород, Новосибирск, Орел, Пермь, Псков, Рязань, Южно-Сахалинск, Екатеринбург, Тамбов, Томск, Анадырь и т.д.

Похожие товары

ОБЯЗАТЕЛЬНОЕ СОГЛАСОВАНИЕ ПЕРЕД ОПЛАТОЙ

Пожалуйста, свяжитесь с менеджером для подтверждения возможности отгрузки товара перед оформлением заказа.