Избранное

ОБЯЗАТЕЛЬНОЕ СОГЛАСОВАНИЕ ПЕРЕД ОПЛАТОЙ

Пожалуйста, свяжитесь с менеджером для подтверждения возможности отгрузки товара перед оформлением заказа.

О товаре

Микросхема 504НТ4В Цена указана без НДС.
Назначение и описание.
Изготовлена на основе полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом. Микросхемы 504НТ4В представляют собой сильноточную согласованную пару полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом, предназначенных для применения во входных каскадах усилителей постоянного тока, в дифференциальных и операционных усилителях и коммутаторах. Изготовлены по КСДИ технологии и предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в круглом металлостеклянном корпусе с выводами для монтажа на печатную плату. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы. Корпус типа 301.8-2, масса не более 1,5 г. Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: ШП0.348.003ТУ. Основные технические и эксплуатационные характеристики:
Напряжение отсечки ≤ 5 В Разность напряжений затвор — исток К504НТЗ, КР504НТЗ ≤ 30 мВ Начальный ток стока: К504НТЗА, КР504НТЗА, К504НТ4А, КР504НТ4А 1,5...7,5 мА К504НТЗБ, КР504НТЗБ, К504НТ4Б, КР504НТ4Б 5...15 мА К504НТЗВ, КР504НТЗВ, К504НТ4В, 7,5...20 мА Ток утечки затвора ≤ 2 нА Крутизна характеристики: К504НТЗА, КР504НТЗА, К504НТ4А, КР504НТ4А ≥ 1,5 мА/В К504НТЗБ, КР504НТЗБ, К504НТ4Б, КР504НТ4Б ≥ 3 мА/В К504НТЗВ, КР504НТЗВ, К504НТ4В, КР504НТ4В ≥ 5 мА/В Коэффициент шума при Rr=1 МОм, f=1 кГц ≤ 4 дБ Отношение значений крутизны характеристики транзисторов в паре К504НТ4, КР504НТ4 ≥ 0,85 Температурный дрейф напряжения смещения: К504НТЗ, КР504НТЗ ≤ 50 мкВ/°С К504НТ4, КР504НТ4 ≤ 300 мкВ/°С **Делаем доставку по городам и регионам: ** Москва, Тверь, Тула, Брянск, Липецк, Смоленск, Нижний Новгород, Ярославль, Вологда, Санкт-Петербург, Петрозаводск, Казань, Ульяновск, Пенза, Самара, Саратов, Волгоград, Ростов-на-Дону, Краснодар, Ставрополь, Владикавказ, Махачкала, Уфа, Оренбург, Челябинск, Мурманск, Салехард, Ханты-Мансийск, Омск, Тюмень, Барнаул, Абакан, Красноярск, Иркутск, Чита, Хабаровск, Владивосток, Майкоп, Улан-Удэ, Горно-Алтайск, Назрань, Нальчик, Элиста, Черкесск, Петрозаводск, Сыктывкар, Йошкар-Ола, Саранск, Якутск, Казань, Кызыл, Ижевск, Чебоксары, Благовещенск, Архангельск, Астрахань, Белгород, Владимир, Воронеж, Иваново, Калининград, Калуга, Петропавловск-Камчатский, Кемерово, Киров, Кострома, Курган, Курск, Магадан, Великий Новгород, Новосибирск, Орел, Пермь, Псков, Рязань, Южно-Сахалинск, Екатеринбург, Тамбов, Томск, Анадырь и т.д.

Характеристики
Артикул
50489-UPC
ВНИМАНИЕ!!! Перед тем как произвести оплату товара свяжитесь с менеджером для согласования возможности отгрузки товара по телефону 8(812)5070272
Доставка в пункты выдачи или до двери транспортными компаниями
Удобный возврат
Оплата по выставленному счёту с НДС и без НДС

Микросхема 504НТ4В

Цена указана без НДС.

Назначение и описание. 

Изготовлена на основе полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом. 

Микросхемы 504НТ4В представляют собой сильноточную согласованную пару полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом, предназначенных для применения во входных каскадах усилителей постоянного тока, в дифференциальных и операционных усилителях и коммутаторах. 

Изготовлены по КСДИ технологии и предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения. 

Выпускаются в круглом металлостеклянном корпусе с выводами для монтажа на печатную плату. 

Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы. 

Корпус типа 301.8-2, масса не более 1,5 г. 

Категория качества: «ВП», «ОСМ». 

Технические условия: ШП0.348.003ТУ. 

 

Основные технические и эксплуатационные характеристики: 

Напряжение отсечки ≤ 5 В 

Разность напряжений затвор — исток К504НТЗ, КР504НТЗ ≤ 30 мВ 

Начальный ток стока: 

К504НТЗА, КР504НТЗА, К504НТ4А, КР504НТ4А 1,5...7,5 мА 

К504НТЗБ, КР504НТЗБ, К504НТ4Б, КР504НТ4Б 5...15 мА 

К504НТЗВ, КР504НТЗВ, К504НТ4В, 7,5...20 мА 

Ток утечки затвора ≤ 2 нА  

Крутизна характеристики: 

К504НТЗА, КР504НТЗА, К504НТ4А, КР504НТ4А ≥ 1,5 мА/В 

К504НТЗБ, КР504НТЗБ, К504НТ4Б, КР504НТ4Б ≥ 3 мА/В 

К504НТЗВ, КР504НТЗВ, К504НТ4В, КР504НТ4В ≥ 5 мА/В 

Коэффициент шума при Rr=1 МОм, f=1 кГц ≤ 4 дБ 

Отношение значений крутизны характеристики транзисторов в паре К504НТ4, КР504НТ4 ≥ 0,85 

Температурный дрейф напряжения смещения: 

К504НТЗ, КР504НТЗ ≤ 50 мкВ/°С 

К504НТ4, КР504НТ4 ≤ 300 мкВ/°С

**Делаем доставку по городам и регионам: ** Москва, Тверь, Тула, Брянск, Липецк, Смоленск, Нижний Новгород, Ярославль, Вологда, Санкт-Петербург, Петрозаводск, Казань, Ульяновск, Пенза, Самара, Саратов, Волгоград, Ростов-на-Дону, Краснодар, Ставрополь, Владикавказ, Махачкала, Уфа, Оренбург, Челябинск, Мурманск, Салехард, Ханты-Мансийск, Омск, Тюмень, Барнаул, Абакан, Красноярск, Иркутск, Чита, Хабаровск, Владивосток, Майкоп, Улан-Удэ, Горно-Алтайск, Назрань, Нальчик, Элиста, Черкесск, Петрозаводск, Сыктывкар, Йошкар-Ола, Саранск, Якутск, Казань, Кызыл, Ижевск, Чебоксары, Благовещенск, Архангельск, Астрахань, Белгород, Владимир, Воронеж, Иваново, Калининград, Калуга, Петропавловск-Камчатский, Кемерово, Киров, Кострома, Курган, Курск, Магадан, Великий Новгород, Новосибирск, Орел, Пермь, Псков, Рязань, Южно-Сахалинск, Екатеринбург, Тамбов, Томск, Анадырь и т.д.

Похожие товары

ОБЯЗАТЕЛЬНОЕ СОГЛАСОВАНИЕ ПЕРЕД ОПЛАТОЙ

Пожалуйста, свяжитесь с менеджером для подтверждения возможности отгрузки товара перед оформлением заказа.